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还在为电源转换效率的瓶颈而烦恼吗？DMTH6009LK3Q-13 N沟道MOSFET正是为您破解这一难题而生的利器。它拥有60V的漏源电压和高达59A（Tc）的连续电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅10毫欧@10V），能显著降低开关过程中的能量损耗，直接提升您的系统整体能效，让热量更少，性能更持久。

这颗芯片采用先进的MOSFET技术，具备快速的开关响应（栅极电荷仅33.5nC）和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）。无论是用于同步整流、电机驱动，还是各类DC-DC转换拓扑，它都能确保稳定、高效的功率切换。TO-252封装提供了优异的散热性能，让您在设计高功率密度应用时更加得心应手，轻松实现更紧凑、更可靠的终端产品设计。

• 型号:DMTH6009LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.2A（Ta），59A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta），60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMTH6009LK3Q-13，Diodes产品一站式供应商。