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DMC6040SSDQ-13 零件图片(仅供参考)

DMC6040SSDQ-13
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DMC6040SSDQ-13 规格参数

还在为电路板空间紧张和双MOSFET匹配问题头疼吗?DMC6040SSDQ-13正是为您而来的解决方案!这颗将N沟道与P沟道MOSFET集成于8-SOIC封装内的汽车级芯片,能轻松驾驭高达60V的电压和5.1A的电流,其超低的40毫欧导通电阻直接为您带来更低的导通损耗和更高的工作效率。

它让您能够轻松设计出更紧凑、更高效的电源管理、电机驱动或负载开关电路。无论是提升车载电子设备的可靠性,还是优化工业设备的功率密度,这颗芯片都能以卓越的电气性能和-55°C至150°C的宽工作温度范围,确保您的系统稳定高效运行,大幅缩短您的开发周期。

  • 型号:DMC6040SSDQ-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:8-SO
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:N 和 P 沟道互补型
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.1A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):40 毫欧 @ 8A,10V,110 毫欧 @ 4.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):20.8nC @ 10V,19.4nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1130pF @ 15V,1030pF @ 30V
  • 功率 - 最大值:1.24W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
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DMC6040SSDQ-13 基本参数:

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