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还在为复杂的双MOSFET电路布局而烦恼吗？DMC67D8UFDBQ-7就是您的终极解决方案。这颗高度集成的互补MOSFET阵列，将高性能的N沟道和P沟道器件浓缩于一个微小的6-UDFN封装内，让您轻松实现高效的电源路径管理、负载开关和电机驱动功能。

它能为您的设计带来立竿见影的好处：极低的导通电阻（N沟道仅72mOhm @ 3.5A）意味着更少的能量损耗和发热，直接提升系统整体效率。其超低的栅极电荷和输入电容，确保了迅猛的开关速度，让您的设备响应更快。无论是应对-55°C到150°C的极端温度挑战，还是满足汽车级AEC-Q101的可靠性要求，它都能游刃有余，让您的产品在各种严苛环境下稳定运行。

简而言之，选择DMC67D8UFDBQ-7，就是选择用一颗芯片替代多颗分立器件，从而简化设计、节省宝贵空间、提升可靠性并优化成本。它让高效、紧凑的电源管理设计变得前所未有的简单。

• 型号:DMC67D8UFDBQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 60V/20V 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V，20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):390mA（Ta），2.9A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A，1.25V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.4nC @ 4.5V，7.3nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:41pF @ 25V，443pF @ 16V
• 功率 - 最大值:580mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMC67D8UFDBQ-7，Diodes产品一站式供应商。