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还在为电源转换效率低下或空间受限而头疼吗？DMN3029LFG-7正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET就像一个高效、敏捷的“电子开关”，能在您的手持设备、充电电路或电机控制模块中，以极低的损耗（导通电阻仅18.6毫欧）快速通断电流，直接帮您提升能效，减少热量产生，从而延长电池寿命并优化系统热管理。

它采用紧凑的PowerDI3333-8封装，让您能在寸土寸金的PCB上轻松布局，实现高密度设计。其30V/5.3A的额定能力，确保在多种低压大电流场景下游刃有余。更值得一提的是，其优异的开关特性（低栅极电荷）让高频操作变得高效，宽广的工作温度范围则保障了在各种环境下的稳定可靠。简而言之，DMN3029LFG-7让您以更小的空间和功耗代价，获得更强劲、更可靠的开关性能，轻松应对设计挑战。

• 型号:DMN3029LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18.6 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN3029LFG-7，Diodes产品一站式供应商。