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还在寻找一颗能在紧凑空间内，以低损耗、高可靠性完成高效开关任务的MOSFET吗？DMG1012T-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有20V的耐压和630mA的连续电流能力，其关键魅力在于仅需1.8V的低驱动电压即可高效导通，并将导通电阻（RdsOn）控制在极低的400毫欧（@4.5V Vgs），这意味着它能显著减少功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它采用超小型的SOT-523封装，为您节省宝贵的电路板空间，非常适合空间受限的便携式设备和模块化设计。同时，其宽广的-55°C至150°C工作结温范围以及符合AEC-Q101汽车级标准，确保了它在严苛环境下的卓越稳定性和长寿命。无论是用于电源路径管理、负载开关还是信号切换，DMG1012T-13都能让您轻松实现设计目标，提升产品整体性能与可靠性。

• 型号:DMG1012T-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):630mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.74 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60.67 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:280mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• DMG1012T-13，Diodes产品一站式供应商。