我们为全球各个行业提供Diodes DMG1013UWQ-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能兼顾高性能与小尺寸的功率开关解决方案吗？DMG1013UWQ-13正是您期待的答案。这颗P通道MOSFET能为您高效地控制高达20V电压和820mA电流的负载，其极低的导通电阻和栅极电荷让开关动作既迅速又节能，显著提升系统整体效率。

得益于汽车级的品质标准（AEC-Q101）和宽广的工作温度范围，它能让您的便携设备或汽车电子应用在各种环境下都稳定可靠。其微小的SOT-323封装和低至1.8V的驱动电压，让您能轻松设计出更紧凑、更省电的电路，化繁为简，直击设计核心挑战。

• 型号:DMG1013UWQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):820mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.62 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:59.76 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMG1013UWQ-13，Diodes产品一站式供应商。