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还在为复杂的双MOSFET布局而头疼吗？让DMG1016UDW-7来简化您的工作！这颗芯片集成了N沟道和P沟道MOSFET于一身，采用超紧凑的SOT-363封装，专为空间受限的现代电子设备而生。

它能为您做什么？它让您轻松实现高效的负载开关和电源管理。凭借仅1V的低开启阈值，您可以直接用微控制器的GPIO口驱动它，省去额外电路。同时，其低至450毫欧的导通电阻和超过1A的电流能力，确保开关动作快速、损耗极低，显著提升您的系统能效和电池续航。

无论是智能手机附件、便携式医疗设备还是物联网传感器节点，DMG1016UDW-7都能以小巧的身躯和可靠的性能，成为您设计中不可或缺的高效功率开关解决方案。

• 型号:DMG1016UDW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.07A，845mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 600mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.74nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60.67pF @ 10V
• 功率 - 最大值:330mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMG1016UDW-7，Diodes产品一站式供应商。