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还在为有限的PCB空间和严苛的能效要求而烦恼吗？DMG2302UQ-13 N沟道MOSFET就是您的高效解决方案。这颗芯片能在仅20V/4.2A的规格下，凭借低至90毫欧的导通电阻，显著降低功率损耗，让您的便携设备跑得更久、发热更少。

它专为空间敏感型应用而生。SOT-23-3的超小封装，让您能轻松将其嵌入任何紧凑设计，从TWS耳机充电仓到手持式扫描仪。同时，其优异的开关特性（栅极电荷仅7nC）确保高速切换，提升整体电源系统的响应速度与效率。

选择它，意味着您选择了一种更智能的电源管理方式。它不仅能简化您的电路布局，更能通过提升能效直接增强终端产品的竞争力，是您打造高品质、高可靠性电子设备的理想基石。

• 型号:DMG2302UQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:594.3 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG2302UQ-13，Diodes产品一站式供应商。