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还在为寻找一颗既小巧又强力的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMG3401LSNQ-7就是您的高效解决方案。它能轻松胜任高达30V电压和3A电流的开关任务，凭借其低至50毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，让您的设备运行更凉爽，续航更持久。

这颗芯片专为简化您的设计而生。其2.5V的低阈值驱动电压，让它可以无缝对接大多数微控制器和逻辑电路，省去复杂的电平转换。同时，快速的开关特性帮助您提升系统响应速度与整体能效。无论是用于电源开关、电机控制还是信号切换，DMG3401LSNQ-7都能以SC-59-3的超紧凑封装，为您节省宝贵的电路板空间，助力打造更轻薄、更可靠的产品。

• 型号:DMG3401LSNQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SC-59-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1326 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SC-59-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG3401LSNQ-7，Diodes产品一站式供应商。