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您正在寻找一颗能轻松驾驭4A电流，却只占用板卡角落空间的功率开关吗？DMG3402LQ-13正是为您而来。这颗30V N沟道MOSFET，凭借仅52毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关损耗，让您的电源管理或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

它拥有高达1.4W的功率耗散能力和宽广的工作温度范围，确保在严苛环境下依然稳定可靠。其优化的栅极特性让驱动设计变得简单，帮助您快速实现高性能、高可靠性的系统。选择它，就是为您的产品选择了一份强劲而小巧的“动力心脏”。

• 型号:DMG3402LQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:52 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:464 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG3402LQ-13，Diodes产品一站式供应商。