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还在为空间受限的设计中寻找强大可靠的开关方案而头疼吗？让DMG3402LQ-7来为您解决难题！这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，集30V耐压与4A电流能力于一身，却拥有仅52毫欧的超低导通电阻，能显著降低系统功耗与发热，让您的设备运行更高效、更凉爽。

它专为严苛环境而生，通过AEC-Q101汽车级认证，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保在各种极端条件下稳定如一。采用紧凑的SOT-23封装，它能轻松融入高密度电路板布局，为您节省宝贵空间。无论是快速切换负载还是进行精密功率控制，DMG3402LQ-7都能让您的设计事半功倍，轻松实现高性能与高可靠性的完美统一。

• 型号:DMG3402LQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:52 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:464 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG3402LQ-7，Diodes产品一站式供应商。