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您是否正在寻找一颗既能节省宝贵电路板空间，又能提供强劲驱动能力的MOSFET？DMG3406L-7正是您的理想之选！这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，采用微型SOT-23封装，却拥有高达3.6A的连续漏极电流和30V的漏源电压耐受能力，让您在小巧的设计中也能实现高效、可靠的大电流开关与控制。

它的核心魅力在于其低至50毫欧的导通电阻（在10V Vgs条件下），这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，从而显著提升系统能效。同时，优化的栅极电荷和输入电容让开关速度更快，响应更迅捷。无论是用于电源路径管理、电机驱动还是负载切换，DMG3406L-7都能让您的设计更加高效、稳定，轻松应对各种严苛应用场景的挑战。

• 型号:DMG3406L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:495 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:770mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG3406L-7，Diodes产品一站式供应商。