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还在为电路中的开关效率低下、发热严重而头疼吗？DMG3414U-7 N沟道MOSFET正是为您解决这些痛点的利器。它能在仅1.8V的低电压下高效驱动，实现快速切换，其卓越的25毫欧低导通电阻，让您在处理高达4.2A电流时，也能将能量损耗和温升降至最低，从而显著提升整个系统的能效与可靠性。

这颗芯片采用紧凑的SOT-23-3表面贴装封装，非常适合空间受限的现代电子设备，如智能手机附件、便携式设备和物联网模块。它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境下的稳定表现。选择DMG3414U-7，意味着您选择了一种让设计更简洁、让产品运行更凉爽、让性能更出众的轻松方案。

• 型号:DMG3414U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 8.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:829.9 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:780mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG3414U-7，Diodes产品一站式供应商。