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还在为开关器件的效率瓶颈而困扰吗？DMG3418L-7正是为您破局而来的利器。这颗N沟道MOSFET能为您做什么？它能让您的电路以极高的效率进行电源切换与负载控制。凭借仅60毫欧的超低导通电阻，它能大幅减少功率损耗，将更多电能用于实际工作，从而显著提升终端设备的续航时间与整体能效。

更重要的是，它让您的设计工作变得异常轻松。其低至2.5V的驱动电压，让您可以直接用常见的MCU GPIO口轻松驱动，无需复杂的电平转换电路。同时，极低的栅极电荷确保了快速的开关响应，非常适合需要高频操作的DC-DC转换器、电机PWM控制等场景。无论是空间受限的便携设备，还是要求长期稳定运行的工业模块，DMG3418L-7都能以SOT-23的小巧身躯，提供30V/4A的可靠保障，助您高效实现设计目标。

• 型号:DMG3418L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:464.3 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG3418L-7，Diodes产品一站式供应商。