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还在为寻找一颗既能扛大电流又易于驱动的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMG4413LSS-13就是您的理想答案。它能轻松胜任高达10.5A的电流切换任务，凭借低至7.5毫欧的导通电阻，大幅降低导通损耗，直接为您提升系统能效，减少散热设计压力。

这颗芯片能为您做什么？它让您在设计负载开关、电池反接保护或DC-DC转换器中的高端开关时，更加得心应手。其优异的栅极驱动特性（Vgs(th)最大2.1V）意味着您可以用更简单的驱动电路来可靠地控制它，从而简化设计、节省成本。无论是空间紧凑的便携设备，还是要求长期稳定运行的工业产品，它都能以高效、可靠的表现为您的产品价值保驾护航。

• 型号:DMG4413LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4965 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMG4413LSS-13，Diodes产品一站式供应商。