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还在为功率器件的效率瓶颈而烦恼吗？DMG4710SSS-13正是为您破局而来的利器。这颗由Diodes Incorporated出品的N沟道MOSFET，拥有30V的耐压和高达8.8A的连续电流承载能力，其核心魅力在于极低的12.5毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

它专为追求高性能的设计而优化。4.5V的低开启电压让驱动变得异常轻松，兼容性极广；而43nC的低栅极电荷则确保了迅猛的开关响应，大幅削减开关损耗。无论是提升DC-DC转换器的效率，还是优化电机控制的动态性能，它都能让您轻松实现系统能效的跨越式提升。

• 制造商产品型号：DMG4710SSS-13
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：8.8A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12.5 毫欧 @ 11.7A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：43nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1849pF @ 15V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：1.54W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOP
• DMG4710SSS-13，Diodes产品一站式供应商。