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还在为寻找一颗高效、可靠的功率开关而烦恼吗？DMG4812SSS-13正是为您排忧解难的得力助手。这颗采用先进MOSFET技术的N沟道器件，拥有30V的漏源电压和高达8A的连续电流处理能力，能让您轻松驾驭各种中小功率的开关与驱动任务。

它的核心魅力在于极高的效率。仅需10V驱动电压，其导通电阻可低至15毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，让您的系统运行更凉爽、能效比更出色。同时，其快速的开关特性和集成的体二极管，进一步优化了电源转换和电机控制等应用的性能与可靠性。

无论是空间紧凑的便携设备，还是要求长期稳定运行的工业模块，DMG4812SSS-13都能以卓越的电气性能和宽温工作范围（-55°C ~ 150°C），为您的设计提供坚实保障，助您高效实现产品升级与创新。

• 型号:DMG4812SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 10.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1849 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:1.54W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMG4812SSS-13，Diodes产品一站式供应商。