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还在为寻找一颗既能承受200V高压，又能在紧凑空间内高效工作的功率开关而烦恼吗？ZVNL120GTA正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，让您仅用3V的低驱动电压，就能轻松控制高达320mA的电流通路，显著降低系统功耗，提升整体能效。

它集低导通电阻、优异的开关特性与SOT-223的小尺寸封装于一身，能帮助您大幅简化电源管理、负载开关或电机驱动等电路设计。无论是提升现有产品的性能，还是为创新设计寻找可靠核心，ZVNL120GTA都能让您的开发工作更加高效顺畅，是实现高性能、高可靠性设计的理想选择。

• 型号:ZVNL120GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVNL120GTA，Diodes产品一站式供应商。