我们为全球各个行业提供Diodes DMG6301UDW-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为电路板空间捉襟见肘而烦恼吗？DMG6301UDW-7双N沟道MOSFET阵列，是您实现高密度、高性能设计的秘密武器。它能让您在寸土寸金的PCB上，轻松集成两个独立的开关通道，高效管理信号与电源路径。

这颗芯片能为您做什么？它凭借低至4欧姆的导通电阻和极低的栅极电荷，让您实现高效节能的开关控制，显著降低系统功耗与发热。其快速的开关响应和宽泛的工作温度范围，确保您的产品在各种环境下都稳定可靠，从可穿戴设备到便携式仪器，都能游刃有余。

• 型号:DMG6301UDW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:25V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):240mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 400mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.36nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:27.9pF @ 10V
• 功率 - 最大值:300mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMG6301UDW-7，Diodes产品一站式供应商。