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还在为电源转换效率瓶颈而烦恼吗？DMN2011UFDE-13就是为您破局而生的利器。这颗N沟道MOSFET拥有惊人的9.5毫欧超低导通电阻，能让您在4.5V驱动电压下，轻松驾驭高达11.7A的连续电流，显著降低开关损耗和发热，直接将您的电源模块效率提升到一个新高度。

它采用紧凑的6UDFN封装，专为空间受限的现代电子设备优化，让您能在更小的PCB面积上实现更大的功率输出。无论是打造高效的DC-DC转换器、电机驱动，还是智能负载开关，DMN2011UFDE-13都能以卓越的电气性能和可靠性，确保您的系统运行更冷静、更持久、更稳定。

• 型号:DMN2011UFDE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3372 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:610mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• DMN2011UFDE-13，Diodes产品一站式供应商。