我们为全球各个行业提供Diodes DMG6602SVTQ-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为电路板空间紧张和能效优化头疼吗？让DMG6602SVTQ-7来为您分忧！这颗高度集成的双MOSFET（N+P沟道）芯片，就像一个高效的“电子开关双雄”，能帮您轻松管理电源路径和信号切换。其30V的耐压和低至60毫欧的导通电阻，意味着更低的能量损耗和更清凉的系统运行，直接提升您的终端产品续航和可靠性。

它专为空间受限的现代电子设备而生，超小的TSOT-26封装让您能在穿戴设备、便携式 gadget 或物联网模块中游刃有余地进行布局。无论是用于电池保护、电机驱动还是负载开关，它都能让您的设计更简洁、性能更出色。选择它，就是选择了一种更高效、更紧凑的解决方案，让您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:DMG6602SVTQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A，2.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400pF @ 15V
• 功率 - 最大值:840mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• DMG6602SVTQ-7，Diodes产品一站式供应商。