我们为全球各个行业提供Diodes DMG6898LSDQ-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为空间有限的PCB板上如何实现高效、强劲的功率切换而烦恼吗？DMG6898LSDQ-13双N沟道MOSFET阵列就是为您量身打造的解决方案。它能让您轻松驾驭高达9.5A的电流，并以极低的16毫欧导通电阻运行，从而大幅降低开关损耗和发热，直接将高效能转化为您产品的更长续航或更冷静运行。

这颗芯片集成了两个独立的优质MOSFET通道，采用紧凑的8-SOIC封装，为您节省宝贵的电路板空间，简化布局设计。其1.5V的低栅极阈值电压，让您能够无缝对接现代低压微控制器，驱动设计变得前所未有的简单。无论是用于负载开关、电机驱动还是DC-DC转换，它都能提供稳定可靠的性能。

选择DMG6898LSDQ-13，意味着您选择了一个经过验证的高性能、高集成度方案。它能帮助您加速产品开发周期，优化整体系统能效，最终打造出更具市场竞争力的终端产品。立即体验它带来的设计便利与性能飞跃吧！

• 型号:DMG6898LSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 9.4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1149pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.28W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMG6898LSDQ-13，Diodes产品一站式供应商。