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还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的低压MOSFET吗？DMG6968LSD-13正是为您而来的解决方案。它能让您在20V、6.5A的应用中，轻松实现高效的能量切换，其低至36毫欧的导通电阻显著减少了功率损耗，让您的设备运行更高效、发热更少。

这颗采用先进MOSFET技术的N沟道晶体管，拥有极低的栅极电荷和输入电容，这意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗。无论是用于提升电源转换效率，还是作为精准的负载开关，它都能以紧凑的8-SOP封装，为您节省宝贵的电路板空间，助您打造出更小巧、更强大的终端产品。

• 型号:DMG6968LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 3.5A，1.8V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:151 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
• DMG6968LSD-13，Diodes产品一站式供应商。