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还在为小功率电路的开关选择而犹豫吗？NMSD200B01-7就是为您量身定制的解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松胜任60V电压、200mA电流下的高效开关任务，其低导通电阻和快速开关特性，让您的电路损耗更低、响应更迅捷。

它集成了肖特基二极管，为您省去外部保护元件的麻烦，简化电路设计。超小的SOT-363封装，让您能在寸土寸金的PCB上实现更紧凑的布局。无论是便携设备、传感器接口还是低功耗控制模块，它都能让您的设计更高效、更可靠。

• 型号:NMSD200B01-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:肖特基二极管（隔离式）
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-363
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• NMSD200B01-7，Diodes产品一站式供应商。