还在为电源路径控制寻找一颗“得力干将”吗？DMG7401SFGQ-13正是您需要的答案。这颗来自Diodes的P沟道MOSFET，拥有30V耐压和9.8A的持续电流能力，能轻松胜任各种负载开关和电源切换任务。
它的核心魅力在于极高的效率。仅11毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通状态下的功率损耗，让您的设备更凉爽、续航更持久。同时，其优化的开关特性让您能构建出响应迅速、控制精准的电源管理系统。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。
- 型号:DMG7401SFGQ-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:POWERDI3333-8
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 12A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2987 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:POWERDI3333-8
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- DMG7401SFGQ-13，Diodes产品一站式供应商。
