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还在为寻找一颗能在紧凑空间内高效控制功率的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMG7401SFGQ-7正是为您而来的解决方案。它能轻松处理高达9.8A的连续电流和30V的电压，同时凭借低至11毫欧的导通电阻，大幅降低功率损耗，直接提升您设备的整体能效和续航时间。

这颗芯片能让您的设计工作变得异常轻松。其4.5V的低开启电压，使其与现代微控制器完美兼容，无需复杂的驱动电路。先进的PowerDI3333-8封装不仅节省宝贵的PCB空间，还提供了出色的散热性能，确保芯片在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作。无论是用于电源开关、电机控制还是电池保护，它都能提供可靠、高效的性能，让您的产品在市场中更具竞争力。

• 型号:DMG7401SFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 12A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2987 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMG7401SFGQ-7，Diodes产品一站式供应商。