还在为空间紧张、效率低下的功率开关设计头疼吗?让DMG7408SFG-7来为您解决!这颗高性能N沟道MOSFET,能轻松驾驭30V电压和7A电流,其超低的导通电阻(最低23毫欧)和栅极电荷,能显著降低开关损耗和发热,让您的系统运行更高效、更凉爽。
它采用先进的PowerDI3333-8微型封装,专为高密度PCB设计而生,让您在寸土寸金的电路板上也能实现强大的功率控制。无论是快速启停的电机驱动,还是需要精密控制的电源路径管理,它都能提供迅捷而可靠的响应。选择它,就是为您的产品选择了更长的续航、更小的体积和更稳定的性能。
- 型号:DMG7408SFG-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:POWERDI3333-8
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):23 毫欧 @ 10A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):17 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):478.9 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:POWERDI3333-8
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- DMG7408SFG-7,Diodes产品一站式供应商。