还在为空间受限的电路板寻找一款性能强悍的功率开关吗?DMP2035UFCL-7正是您期待的解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有20V的耐压和高达6.6A的连续电流处理能力,却能被封装在极其微小的U-DFN1616-6尺寸中,让您轻松实现高密度设计。
它的核心魅力在于极高的效率。仅24毫欧的超低导通电阻意味着在导通状态下能量损耗极低,配合低至1.8V的驱动门槛,让您能够高效地管理电源路径,显著提升系统整体能效并减少发热。无论是用于电池供电设备的负载开关、电源分配,还是电机驱动中的方向控制,它都能确保电力传输快速、干净、可靠。
选择DMP2035UFCL-7,就是选择了一颗能让您的设计更紧凑、运行更凉爽、续航更持久的智能功率芯片。让它为您的新产品注入高效与可靠的基因。
- 型号:DMP2035UFCL-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:Software Configurable Input/Output
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 6.6A 6UDFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.6A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 8A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):44 nC @ 8 V
- Vgs(最大值):±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2200 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):740mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:Software Configurable Input/Output
- 封装/外壳:6-PowerUFDFN
- DMP2035UFCL-7,Diodes产品一站式供应商。