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您是否渴望为您的电源或电机驱动设计注入一颗强劲而高效的“心脏”？DMG7430LFGQ-7正是这样一款专为 demanding 应用而生的N沟道MOSFET。它能为您做什么？核心就是让您的系统运行得更“冷静”、更高效、更可靠。

凭借仅11毫欧的超低导通电阻（Rds(On)）和10.5A的高连续电流能力，它能在开关和导通状态下最大限度地减少功率损耗，直接将更多电能用于驱动负载，而非转化为无用的热量。这意味着您的设备续航可能更长，散热设计可以更简化，整体效率显著提升。

同时，其优化的栅极电荷（Qg）和宽泛的工作电压范围，让驱动电路设计变得异常轻松，无论是用于高频开关的DC-DC转换，还是作为稳健的负载开关，它都能快速响应，确保系统动态性能优异。选择它，就是为您的产品选择了一份经过AEC-Q101车规认证的耐久保障和卓越的性能体验。

• 型号:DMG7430LFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1281 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMG7430LFGQ-7，Diodes产品一站式供应商。