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还在为电源路径上的功率损耗和发热问题头疼吗？DMG8880LK3-13正是您的高效开关解决方案。这颗30V/11A的N沟道MOSFET，凭借其低至7.5毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽，电能转换更高效。

它能让您轻松驾驭电机驱动、DC-DC转换和负载开关等应用。其优化的栅极驱动特性（Vgs(th)最大2.3V）与快速的开关性能，确保了精准的控制响应。采用坚固的TO-252封装，提供出色的功率处理能力和散热表现，是您构建紧凑、可靠电源系统的得力助手。

• 制造商产品型号：DMG8880LK3-13
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 11A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 11.6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：27.6nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1289pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.68W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• DMG8880LK3-13，Diodes产品一站式供应商。