我们为全球各个行业提供Diodes DMG8880LSS-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为功率开关器件的效率和体积发愁吗？让DMG8880LSS-13来为您解决难题！这颗N沟道MOSFET是您实现高效电源管理的秘密武器，它能在30V电压下轻松驾驭高达11.6A的连续电流，而其导通电阻低至惊人的10毫欧，这意味着更低的传导损耗和更凉爽的运行温度，直接为您提升系统整体能效。

得益于其4.5V的低驱动电压和快速的开关特性（栅极电荷仅27.6nC），它能与您的微控制器或驱动IC完美配合，让开关电源设计变得前所未有的高效和简洁。无论是用于DC-DC转换、电机驱动还是负载开关，它都能确保快速响应和最小化的功率浪费。其坚固的8-SOP表面贴装封装，不仅节省宝贵的电路板空间，更能承受-55°C至150°C的宽广工作温度范围，让您的产品在各种环境下都稳定可靠。

• 型号:DMG8880LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 11.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1289 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.43W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMG8880LSS-13，Diodes产品一站式供应商。