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您正在为高压、高可靠性的电源或电机驱动项目寻找核心开关器件吗？DMG8N65SCT正是为您量身打造的解决方案。这颗650V/8A的N沟道MOSFET，拥有低至1.3欧姆的导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低导通与开关损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

它符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度范围宽达-55°C至150°C，具备出色的稳健性与耐久性。无论是面对工业环境的严酷考验，还是满足汽车电子对可靠性的极致要求，它都能轻松胜任，让您对产品的长期稳定运行充满信心。

• 型号:DMG8N65SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220AB（TH 型）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1217 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220AB（TH 型）
• 封装/外壳:TO-220-3
• DMG8N65SCT，Diodes产品一站式供应商。