我们为全球各个行业提供Diodes DMPH6050SFGQ-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为功率开关的效率与可靠性烦恼吗？让DMPH6050SFGQ-7为您排忧解难！这颗P沟道MOSFET是您实现高效电源管理的秘密武器。它拥有60V的耐压和低至50毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更持久。

它专为严苛环境而生，通过AEC-Q101车规认证，工作结温高达175°C，确保在汽车电子或工业应用中的稳定表现。其优化的开关特性（如低栅极电荷）让您轻松实现高速开关，提升整体转换效率。选择它，就是为您的设计注入了高效与可靠的双重保障。

• 型号:DMPH6050SFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.1A（Ta），18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1293 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMPH6050SFGQ-7，Diodes产品一站式供应商。