我们为全球各个行业提供Diodes DMG9926USD-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率，并节省电路板空间的MOSFET解决方案？DMG9926USD-13正是为您而来的答案。这颗双N沟道MOSFET阵列，集成了逻辑电平门驱动、低至24毫欧的导通电阻以及高达8A的电流处理能力，让您能够轻松设计出损耗更低、响应更快的电源开关与电机驱动电路。

它采用紧凑的SOP8L封装，极大地优化了PCB布局，特别适合空间受限的便携式设备、计算主板和各类电源模块。其宽广的-55°C至150°C工作温度范围，确保了在各种环境下的可靠性与稳定性。选择DMG9926USD-13，意味着您选择了一种高效、集成且可靠的方式，来提升您整个电源管理系统的性能水平。

• 型号:DMG9926USD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 8.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:867pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMG9926USD-13，Diodes产品一站式供应商。