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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让DMG9N65CT来为您轻松化解！这颗N沟道MOSFET是专为 demanding 应用而生的功率开关利器。

它拥有650V的高耐压和9A的强电流处理能力，让您在设计AC-DC电源、电机驱动或PFC电路时信心十足。其优化的导通电阻与低栅极电荷特性，能显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升您的系统整体能效，同时减少热管理压力。采用坚固的TO-220AB封装，散热性能优异，确保功率稳定输出。

选择DMG9N65CT，就是选择了一个高效、可靠的解决方案，它能帮助您简化设计、提升产品性能，并最终赢得市场认可。

• 型号:DMG9N65CT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2310 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:165W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
• DMG9N65CT，Diodes产品一站式供应商。