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还在为复杂的H桥电路搭建而头疼吗？让DMHC10H170SFJ-13来为您化繁为简！这颗来自Diodes Incorporated的100V MOSFET阵列芯片，集成了2个N通道和2个P通道MOSFET，为您预置了一个高效、紧凑的H桥功率级核心。

它能让您轻松驾驭高达2.9A的连续电流，并以低至160毫欧的导通电阻实现高效电能转换，显著降低系统发热。其出色的开关特性（栅极电荷仅9.7nC）让驱动设计更简单，响应更迅捷。无论是驱动微型电机、管理电源路径，还是其他需要双向功率控制的应用，它都能让您的设计更加可靠、紧凑且高效。

• 型号:DMHC10H170SFJ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN5045-12
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 和 2 P 沟道（全桥）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:100V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A，2.3A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1167pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2.1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:12-VDFN 焊盘
• 供应商器件封装:V-DFN5045-12
• DMHC10H170SFJ-13，Diodes产品一站式供应商。