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还在为电路板空间紧张和驱动复杂而头疼吗？ZXMN3A06DN8TA双N沟道MOSFET就是为您排忧解难的得力助手。它让您仅用一颗芯片就能实现两个高效开关功能，逻辑电平驱动让您用常见的微控制器GPIO口即可轻松控制，极大简化了您的电路设计。

这颗芯片能为您做什么？它凭借4.9A的强劲电流承载能力和低至35毫欧的导通电阻，确保开关和导通过程中的能量损耗降至极低，让您的电源转换、电机驱动或负载开关应用运行得更高效、更凉爽。其紧凑的8-SOIC封装为您节省每一寸宝贵的PCB空间，是追求高性能与小体积完美平衡的您的理想选择。

• 型号:ZXMN3A06DN8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.9A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:796pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMN3A06DN8TA，Diodes产品一站式供应商。