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您正在寻找一颗能大幅简化电路布局、同时提供强劲驱动能力的芯片吗？DMHC4035LSD-13正是您的理想之选。这颗高度集成的H桥MOSFET阵列，内部集成了2个N通道和2个P通道MOSFET，为您省去了多个分立器件选型和布局的麻烦，让您轻松构建高效的电机驱动或双向电源开关电路。

凭借40V的耐压和4.5A的持续电流能力，配合低至45毫欧的导通电阻，它能显著降低系统功耗与发热，让您的设备运行更高效、更持久。其逻辑电平门控设计，可直接由微处理器驱动，让您的控制变得异常简单直接。无论是用于消费电子、智能家居还是工业控制模块，它都能帮助您快速实现稳定可靠的设计，加速产品上市进程。

• 型号:DMHC4035LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 和 2 P 沟道（全桥）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Ta），3.7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 3.9A，10V，65 毫欧 @ 4.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5nC @ 10V，11.1nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:574pF @ 20V，587pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMHC4035LSD-13，Diodes产品一站式供应商。