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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题头疼吗？让DMJ70H1D3SH3来为您解决！这颗N沟道MOSFET是您实现高效功率转换的得力助手。它拥有700V的高耐压和4.6A的电流处理能力，配合低至1.3欧姆的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行更凉爽、效率更高。

它采用坚固的TO-251通孔封装，易于焊接和散热，宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保其在各种恶劣环境下稳定可靠。无论是用于开关电源的初级侧、PFC电路，还是电机控制，DMJ70H1D3SH3都能让您的设计更简洁，性能更出众，轻松应对高电压挑战。

• 型号:DMJ70H1D3SH3
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-251（型 TH3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:351 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（型 TH3）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• DMJ70H1D3SH3，Diodes产品一站式供应商。