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还在为高压开关应用的效率和可靠性头疼吗？让DMJ70H1D5SV3来为您分忧！这颗N沟道MOSFET是您进行高效功率控制的得力干将。它拥有700V的高耐压和5A的电流处理能力，配合仅1.5欧姆的低导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更冷静、更高效。

这颗芯片采用坚固的TO-251通孔封装，散热性能优异，安装牢固。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保它在各种恶劣环境下都能稳定工作。无论是用于升级现有设计还是维护经典产品线，DMJ70H1D5SV3都能以成熟的性能，助您轻松实现稳定可靠的功率管理，提升终端产品的整体价值。

• 型号:DMJ70H1D5SV3
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-251（型 TH3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:316 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:78W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（型 TH3）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• DMJ70H1D5SV3，Diodes产品一站式供应商。