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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率，并能在紧凑空间内稳定工作的双MOSFET解决方案？DMT47M2LDVQ-13正是为此而来。这颗车规级（AEC-Q101）双N通道MOSFET阵列，拥有40V的耐压和高达30.2A的电流承载能力，其核心魅力在于低至10.8毫欧的导通电阻，能显著减少开关和传导损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的PowerDI333封装，在极小的占位面积内集成了两个高性能晶体管，为您的高密度PCB设计释放宝贵空间。无论是用于汽车领域的负载开关、LED照明驱动，还是工业控制中的功率分配，它都能凭借优异的开关特性（低栅极电荷）和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保系统响应迅速且稳定可靠。选择它，让您的产品在性能和可靠性上即刻赢得优势。

• 型号:DMT47M2LDVQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.9A（Ta），30.2A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:891pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2.34W（Ta），14.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• DMT47M2LDVQ-13，Diodes产品一站式供应商。