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还在寻找一颗能同时征服高压与高电流挑战的“心脏”吗？DMJ70H600SH3 N沟道MOSFET就是您期待的答案。它集700V高压耐受与11A大电流通流能力于一身，凭借低至600毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、能效比更高。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电机驱动响应更迅猛，让开关电源转换更高效，让车载充电设备运行更稳定。其符合汽车级AEC-Q101标准，确保即使在-55°C至150°C的严酷温度环境下也能性能如一。低栅极电荷和快速的开关特性，进一步简化您的驱动设计，轻松实现高效、紧凑且可靠的功率转换解决方案。

• 型号:DMJ70H600SH3
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-251
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 11A TO251
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 2.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:643 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:113W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• DMJ70H600SH3，Diodes产品一站式供应商。