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还在为高压电源设计的效率瓶颈寻找解决方案吗？DMJ70H900HJ3就是您期待的高性能答案。这颗700V/7A的N沟道MOSFET，以其低至900毫欧的导通电阻和仅18.4nC的栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的电源系统运行更高效、更凉爽。

它专为汽车和工业级严苛应用打造，符合AEC-Q101标准，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保在极端环境下依然稳定可靠。无论是车载充电器、工业电源还是电机驱动，选择它，就是为您的核心功率电路注入了强劲且耐久的动力源泉，让您轻松实现更高能效与更优可靠性的设计目标。

• 制造商产品型号：DMJ70H900HJ3
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 700V 7A TO251
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：Automotive, AEC-Q101
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：700V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：900 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18.4nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：603pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：68W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251
• DMJ70H900HJ3，Diodes产品一站式供应商。