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还在为寻找一颗既能高效开关又足够小巧的MOSFET而烦恼吗？DMN100-7就是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET专为空间和能效敏感的应用设计，其240毫欧的超低导通电阻能显著减少功率损耗，让您的设备运行更持久、更凉爽，同时1.1A的驱动能力轻松应对多种负载需求。

它集高性能与微型化于一身。极低的栅极电荷确保了快速的开关响应，提升系统整体效率；而经典的SC-59-3（SOT-23-3）封装，让您能在最有限的空间内完成高密度布局，为产品小型化扫清障碍。选择它，就是为您的便携设备、传感器或智能模块注入一颗高效、可靠的“心脏”。

• Diodes公司完整型号：DMN100-7
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
• 系列：-
• FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
• FET 功能：标准
• 漏源极电压 (Vdss)：30V
• 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.1A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：240 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：150pF @ 10V
• 功率 - 最大值：500mW
• 安装类型：表面贴装
• 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装：SC-59-3
• DMN100-7，Diodes产品一站式供应商。