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还在为空间有限的电路板寻找高性能的开关解决方案吗？DMN1003UCA6-7正是为您而来的答案。这颗来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列，以其超紧凑的6-SMD无引线封装，让您能在寸土寸金的PCB上轻松实现高效的电源管理和信号切换功能。

它拥有出色的电气特性，低栅极阈值电压让您能轻松用低电压逻辑直接驱动，非常适合电池供电的便携设备。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种严苛环境下的稳定性和可靠性。选择它，就是选择了一种让您的设计更高效、更精简、更具竞争力的智能方式。

• 型号:DMN1003UCA6-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X3-DSN3518-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3315pF @ 6V
• 功率 - 最大值:2.67W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-SMD，无引线
• 供应商器件封装:X3-DSN3518-6
• DMN1003UCA6-7，Diodes产品一站式供应商。