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还在为寻找一颗既能扛住大电流，又兼顾高效率与紧凑尺寸的MOSFET而烦恼吗？DMN1004UFV-7正是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有12V的漏源电压和高达70A的连续漏极电流承载能力，其核心魅力在于超低的3.8毫欧导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

它采用易于贴装的PowerDI3333封装，为您节省宝贵的PCB空间。更令人印象深刻的是，它仅需2.5V的低驱动电压即可高效工作，并具备极快的开关速度，这得益于其优化的栅极电荷特性。这一切，都让您能够轻松设计出性能更强、体积更小、续航更久的下一代电子产品。

• 型号:DMN1004UFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 15A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2385 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN1004UFV-7，Diodes产品一站式供应商。