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您是否正在寻找一颗能在100V电压下稳定工作，同时兼顾高效率与紧凑尺寸的功率开关解决方案？DMN10H120SE-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有3.6A的强劲电流处理能力，其核心优势在于极低的导通电阻（仅110毫欧@10V），能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用便于焊接和散热的SOT-223表面贴装封装，能轻松集成到空间受限的设计中。更低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合需要高频操作的场景。无论是用于消费电子产品的电源管理，还是工业设备中的负载开关，DMN10H120SE-13都能以卓越的性能和可靠性，助您轻松提升产品整体能效与竞争力。

• 型号:DMN10H120SE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• DMN10H120SE-13，Diodes产品一站式供应商。