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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的开关管吗？DMN10H170SFDE-7正是您理想的答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和2.9A的电流处理能力，其核心魅力在于极低的160毫欧导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率更高，发热更少。

它能让您轻松应对高频开关场景。得益于仅9.7nC的低栅极电荷和快速的开关特性，您可以提升系统工作频率，从而使用更小体积的电感和电容，实现产品小型化设计。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和表面贴装封装，进一步确保了它在各种严苛环境下的稳定性和易于生产性，是提升产品整体竞争力的高效之选。

• 型号:DMN10H170SFDE-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1167 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• DMN10H170SFDE-7，Diodes产品一站式供应商。