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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的“心脏”为您的功率电路注入活力吗？DMN10H170SFGQ-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的坚固耐压和高达8.5A的强大电流吞吐能力，让您轻松驾驭从汽车到工业的各种严苛应用。

它专为高效而生，极低的导通电阻（仅122毫欧@10V）意味着更少的能量以热量形式浪费，让您的系统运行更凉爽、续航更持久。其汽车级（AEC-Q101）的卓越品质，配合宽达-55°C至150°C的工作结温，确保它在最恶劣的环境中也能稳定如一，大幅提升您产品的耐用性和市场竞争力。

同时，其紧凑的PowerDI3333-8封装和优化的开关特性（低栅极电荷），让您能在节省宝贵电路板空间的同时，实现快速、高效的电源切换。选择它，就是为您的设计选择了一份高效、可靠且面向未来的强大保障。

• 型号:DMN10H170SFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta），8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:122 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870.7 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN10H170SFGQ-13，Diodes产品一站式供应商。