我们为全球各个行业提供Diodes DMN2016LFG-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能同时兼顾小体积与大电流的开关解决方案吗？DMN2016LFG-7正是为您而来。它集成了两个高性能的N沟道MOSFET于微小的8-PowerUDFN封装内，让您轻松实现高密度板级设计，同时毫不妥协地提供高达5.2A的连续电流处理能力。

这颗芯片能为您做什么？它卓越的低导通电阻（仅18mΩ）和逻辑电平驱动特性，让您能够高效地管理电源路径、进行负载切换或驱动电机。无论是提升便携设备的能效，还是优化IoT节点的功耗，它都能显著降低开关损耗，让您的系统运行更凉爽、续航更持久。选择它，就是选择了一种让设计更简单、性能更出色的可靠方式。

• 型号:DMN2016LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN3030-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1472pF @ 10V
• 功率 - 最大值:770mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerUDFN
• 供应商器件封装:U-DFN3030-8
• DMN2016LFG-7，Diodes产品一站式供应商。